Características de películas de SiOF obtenidas por APCVD con HF como fuente de flúor

Se obtuvieron películas de óxido de silicio fluorado (SiOF) en un reactor convencional de depósito químico en fase vapor a presión atmosférica (APCVD), usando tetraetilortosilicato (TEOS) y ozono (O3) como precursores de SiO2, el anhídrido fluorhídrico fue empleado para la incorporación de átomos de flúor. Las películas fueron depositadas variando la temperatura del sustrato en el intervalo de 200 a 275 °C. La estructura de los enlaces químicos de las películas fue evaluada por espectroscopia infrarroja de transformada de Fourier (FTIR), y el índice de refracción por elipsometría. Los espectros FTIR de absorbancia de las películas depositadas muestran el modo de vibración correspondiente a enlaces Si-F y cuya intensidad depende de la concentración de átomos, y ésta a su vez depende de la temperatura de depósito. La incorporación de flúor tiene una contribución en la reducción del índice de refracción en las películas de SiOF, el cual, disminuye de 1.46 a 1.35. Por lo tanto, el principal mecanismo responsable para esta disminución es la porosidad generada en las películas debido a la incorporación de flúor en la red. La constante dieléctrica fue reducida de 4.2, que corresponde a películas de SiO2, a valores que se encuentran en el intervalo de 3.18 a 3.6, para películas de SiOF obtenidas por la técnica APCVD.

Detalles Bibliográficos

Autores principales:	Pacio,M., Juárez,H., Díaz,T., García,G., Rosendo,E., Escalante,G., Pérez,R.
Formato:	Digital revista
Idioma:	Spanish / Castilian
Publicado:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2010
Acceso en línea:	http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212010000400002
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