Propiedades de transporte de una superred de grafeno tipo sinusoidal

En este trabajo usamos el método de la matriz de transferencia para estudiar el tunelamiento de los electrones de Dirac a través de superredes en grafeno. Consideramos una superred con potencial sinusoidal o polaridad invertida, para ello consideramos dos maneras de crearla, una por medio de sustratos mixtos junto con la aplicación de un campo perpendicular sobre el sustrato de Óxido de Silicio (SiO2), la otra por medio de potenciales alternados aplicados perpendicularmente sobre la sábana de grafeno. Calculamos las propiedades de transmisión, transporte y estructura electrónica, variando diferentes parámetros como ángulo de incidencia, anchos de pozos y barreras y diferente número de barreras. Se encontró (1) el importante papel que juega el efecto Klein en tales estructuras, (2) las propiedades de transmisión y transporte presentan cierta simetría respecto del origen de la energía, y (3) el carácter sinusoidal del sistema trae consigo una baja en el nivel de energía de las subbandas en el espectro de estados acotados, además las degenera y origina que la apertura-cierre de las minibandas sea en el mismo nivel de energía.

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Main Authors: Briones-Torres,J. A., Rodríguez-Vargas,I.
Format: Digital revista
Language:Spanish / Castilian
Published: Universidad de La Salle Bajío A. C., Coordinación de Investigación 2015
Online Access:http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S2007-07052015000200431
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spelling oai:scielo:S2007-070520150002004312015-10-12Propiedades de transporte de una superred de grafeno tipo sinusoidalBriones-Torres,J. A.Rodríguez-Vargas,I. Grafeno superredes matriz de transferencia estados acotados En este trabajo usamos el método de la matriz de transferencia para estudiar el tunelamiento de los electrones de Dirac a través de superredes en grafeno. Consideramos una superred con potencial sinusoidal o polaridad invertida, para ello consideramos dos maneras de crearla, una por medio de sustratos mixtos junto con la aplicación de un campo perpendicular sobre el sustrato de Óxido de Silicio (SiO2), la otra por medio de potenciales alternados aplicados perpendicularmente sobre la sábana de grafeno. Calculamos las propiedades de transmisión, transporte y estructura electrónica, variando diferentes parámetros como ángulo de incidencia, anchos de pozos y barreras y diferente número de barreras. Se encontró (1) el importante papel que juega el efecto Klein en tales estructuras, (2) las propiedades de transmisión y transporte presentan cierta simetría respecto del origen de la energía, y (3) el carácter sinusoidal del sistema trae consigo una baja en el nivel de energía de las subbandas en el espectro de estados acotados, además las degenera y origina que la apertura-cierre de las minibandas sea en el mismo nivel de energía.info:eu-repo/semantics/openAccessUniversidad de La Salle Bajío A. C., Coordinación de InvestigaciónNova scientia v.7 n.14 20152015-01-01info:eu-repo/semantics/articletext/htmlhttp://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S2007-07052015000200431es
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